基金项目：国家“863”惯性约束聚变领域赞助课题（863~416-3~3.2）3衬底地位对堆积速率的影响堆积速71994-2015ChinaAcademic 1实验11使用反式-2-丁烯的LPP-CVD法采纳LPP-CVD办法制备CxHi-x薄膜时，通常使用反式-2-丁烯和H2为工作气体，背景真空（包括整个管道系统）为5MPa，工作真空为12Pa，H2流量为010cm3/min，反式-2-丁烯流量为0.5cm3/min，射频输入功率为15W.实验装置示于。

　　为取得最大堆积速率，实验钻研了电子密度和电子温度与氢气流量的关系。实验结果示于。由可见：2分压约为3Pa时，电子密度最高，此时的电子温度最稳定。实验当选定H2分压约为3Pa时，扭转单体反式-2-丁烯的分压停止最佳工作条件钻研。

　　11.1射频功率对堆积速率的影响CxH1一x薄膜的堆积速率与射频功率的关系示于。

　　堆积速率随功率P的增加而进步，当P>60W时，堆积速率对功率的变迁变得不敏感，趋于饱和。而且，当P>40W后，得到的CxH1-x膜脆易碎。可见：用增加RF功率来进步堆积速率是不可行的。从可看到，只管功率抵达80W，但堆积速率仍仅为1. 1.2H2含量对堆积速率的影响堆积速率与H2与反式-2-丁烯的比例有关，堆积速率随H2含量的增加而下降。

　　率与衬底地位有关，衬底位于石英腔口附近时，可取得最大的堆积速率；位于腔口内部和外部时，有近似对称的堆积速率。

　　由以上结果能够看出：使用反式-2-丁烯为气体源时，在雷同分压下，堆积速率对输入RF功率呈现饱和特征，大输入功率下堆积的CxH1-x薄膜易破碎；即使在优化工艺参数下，CxHh.薄膜的堆积速率也仅约为1Pm（球面上约为0.25/%i）。以这样的堆积速率在靶球外表上堆积50/%i以上的涂层最少需200h以上的堆积工夫，这对最终靶球涂层的光洁度及薄膜质量极为不利。进步RF频率，使用倍频或三倍频，有望进步堆积速率，但目前工业用射频电源的频率大多采纳13. 56MHz其倍频射频电源无市售产品；吏用脉冲微波CVD或螺旋波等离子体CVD新型等离子源可将电子密度进步2 ~3个数量级，但需更新设施。在现有设施条件下，使用反式-2-丁烯为气体源涂敷CxHn涂层尚存在较大的技术障碍。

　　1.2使用苯乙烯的LPP-CVD法使用苯乙烯和H2为工作气体时，气路装置稍需扭转。苯乙烯为液体，须加热并需控制与反式-2-丁烯相比，在同样的H2分压、H2流量和单体分压条件下，堆积速率有较大进步。

　　实验结果标明：当H2分压为3.2Pa、H2流量为15cm3/min、苯乙烯分压为5.3Pa、功率为15W时，堆积速率约为4/%i/h.这样，在较小的RF功率下可取得较大的堆积速率，薄膜质量良好，并易在空气中保留。中示出了堆积速率随功率的变迁。其中，实测点与预测曲线合乎良好。

　　2剖析与探讨2.1薄膜构造对别离以反式-2-丁烯和苯乙烯为气源制薄膜停止了UV-VIS谱剖析（图其蒸气压妹能取得遽定蟒气流量。以苯乙Pu」g紫外可见磲射谱图能够看膈燃式-2-丁烯为气体源制备的CxHi-x薄膜的谱图上，在400nm以内的紫外区呈现了吸收峰，这阐明存在sp2杂化的C原子，在可见和近红外区呈现弱的吸收包，标明存在弱的吸收；在以苯乙烯为气体源制备的CxHi-x薄膜的谱图上，除了在400nm以内的紫外区呈现了吸收峰外，还呈现了3个尖峰，它们表征着3个不同的化学环境。在可见和近红外区呈现振动曲线，标明薄膜较为透明。这阐明，以两种不同气体源制备的CxHx薄膜构造存在着轻微差异。

　　实验比较了在不同RF功率下苯乙烯气体源制备的CxHi-x薄膜的透射谱。结果标明：当RF功率为15W时，制备的CxHi一x薄膜是最好的。

　　2塑料微球专用反弹盘1反弹盘（0碰了压电陶瓷片魅震ni动源。当压电陶瓷片两段施加某一频率的交变电源后，由压电效应产活力械震动，并带动微球在盘内跳动。实验证实，采纳玻璃制成的反弹盘具有较好的机械震动成效。

　　2.3衬底上施加偏压表1列出了在玻璃和硅衬底上施加不同偏压时CxHi-x薄膜的膜厚散布。当在衬底上施加100V负偏压时，平面上的膜厚均性大为改善，且在硅片上堆积的膜厚均性最佳。

　　表1衬底上施加偏压对膜厚平均性的影响Table1Theeffectofsubstrate 5.739注：堆积条件为H2分压3Pa苯乙烯分压6PaH2流量15cm3/minRF功率15W.；3塑料微球外表碳氢涂层的涂敷以苯乙烯和H2为工作气体在H2分压为2Pa>H2流量为15cm3/min、苯乙烯分压为5.3Pa、RF功率为15W的优化工艺条件下，联合反弹盘技术在塑料微球上涂敷了一层厚40~801的〔1-1涂层。在上述工艺条件下，CxHh薄膜的堆积速率约为4Mm/h.经狈试，微球外表碳氢涂层的外表均方根粗糙度